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R é p u b l i q u e A l g é r i e n n e D
é m o c r a t i q u e e t P o p u l a i r e
M i n i s t è r e de l'E n s e i g n e m e n t S
u p é r i e u r et de la R e c h e r c h e Sc i e n t i f i q u
e
L'U n i v e r s i t é H a d j L a k h d a r B a
t n a
F a c u l t é d e T e c h n o l o g i e
D é p a r t e
m e n t d e Génie E l e c t r i q u e
En vue de l'obtention du diplôme de
M AS T E R E N G E N I E E L E C T R I Q U
E
Option:
Electrotechnique
Présenté par
DEMANE OUSSAMA
Licence Electromécanique
De l'Université
de M'sila
SIMULATION ET ETUDE EXPERIMENTALE
D'UN HACHEUR DEVOLTEUR
A BASE D'UN MOSFET
Ê
Mémoire soutenu le : 03 Juillet 2011
Dirigé par:
Mme. KERCHA Mbarka
Je remercie tout premièrement dieu tout puissant
qui m'a donné la santé, la volonté et la patience, durant
toutes ces longues années.
Je remercie aussi mon promoteur madame KERCHA
Mbarka pour ses orientations et surtout sa gentillesse, Il ne faut pas
oublier son aide pendant la rédaction de ce projet, pour son suivi
continuel tout le long de la réalisation de ce projet et qui n'a pas
cessée de me donner aussi que ses conseils et remarques.
Je remercie vivement toute personne qui m'a aidé
à élaborer et réaliser ce projet, particulièrement
l'enseignante BOUTARAA Leila pour sa gentillesse et son
soutient moral, ainsi à tous ceux qui m'ont aidé de prés
ou de loin à accomplir ce travail.
Je remercie aussi tous les enseignants du
département d'électrotechnique qui ont contribué à
ma formation.
J'exprime ma reconnaissance à tous mes amis et
collègues pour le soutient moral et matériel&
Enfin, je vous remercier messieurs les jurys pour l'honneur
que vous m'avez fait en acceptant de juger mon travail.
SOMMAIRE
INTRODUCTION
GÉNÉRALE&&&&&&&&&&&&&&.&.
&..& 1
CHAPITRE UN
INTERRUPTEURS À SEMI CONDUCTEURS
DE PUISSANCE
I.1. Introduction
&&&&&&&&&&.&&&&&&&&&&.
&.&..&& 3
I.2. Diode de puissance
&&&&&&&&.&&&&&.
&&&&&&.&& 3
I.2.1.
Fonctionnement parfait
&&&&&&&&&&.&&..&&..&.&&.
4
I.2.2. Fonctionnement réel
&&&&&&&&&&&.&&.
&.& & & 4
I.3. Thyristor
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&.
& &&&& & 5 I.3.1. Fonctionnement
parfait &&&&&&..&&&&&&&
&&&& 5
I.3.2. Fonctionnement réel
&&&&&&&&&&..&&&&&&..&&
7
I.4. Le thyristor GTO (Gate Turn
Off)&&&&&&&&&&&&&&.&&.&
9
I.5. Transistor bipolaire de puissance (Bipolar Junction
Transistor: BJT) &.&..& 10 I.5.1. Fonctionnement
parfait
&&&&&&&&&&&&&..&&
&& 10
I.5.2. Fonctionnement réel
&&&&&&&&&&&&&&&&&&.&
11
I.5.3. Choix d'un transistor
&&&&&&&&&&&&&..&&&
&&. 11
I.5.4. Commutation du transistor
&&&&&&&&&&&&&.&.
&& 12
I.6. Transistor MOS et MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field
Effect
Transistor)&&&&&&&&&&&&&&.
&&&&&&& &&& . 13
I.6.1. Fonctionnement parfait
&&&&&&&&&&&&&&&..&&&.
13
I.6.2. Limite de fonctionnement
&&&&..&&&&&&&&.
&&&& 14
I.6.3. La protection de la
grille du MOSEFT &&&&&&&&&&.
&&. 14
I.7. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
&&&..&&.&&&. 15
I.8. Comparaison entre les différents interrupteurs
entièrement commandables & 15
I.9. Conclusion
&&&&&&&&&&&&&.&&&&&&.&&..&&&
16
CHAPITRE DEUX
ÉTUDE GÉNÉRALE
SUR LES CONVERTISSEURS
CONTINU-CONTINU
II.1. Introduction
&&&&&&&&&&.&&&&&&&.
&& && && 17
II.2. Hacheurs non réversibles
&&&&&&&&.&&&&&.
&&& && 18
II.2.1. Hacheur
dévolteur (Série)
&&&&&&&&&..&&&.&&.&&.
18
II.2.1.1. Fonctionnement & &&&&&
&&&& && &.& 18
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