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Etude des propriétés optiques dans l'infrarouge lointain des hétérostructures à  base de semi conducteurs Gaas/ Algaas modèle de la fonction diélectrique

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par Mohammed EL MOUFAKKIR
Université Sidi Mohamed Ben Abdellah faculté des sciences Dhar El Mehraz Fès Maroc - Master 2012
  

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Bibliographie

Bttliogtcip[pe

[I-1] Izeddine ZORKANI. THESE présentée pour l'obtention du GRADE de DOCTEUR. Préparation et propriétés dans l'infrarouge lointain de films épitaxiques d"Arseniure de Galium. Soutenue le 25 Juin 1985. Université de Nancy.

[I-2] Redha AOUATI. THESE présentée pour l'obtention du GRADE de DOCTEUR. Etude de la nanostructure AlAs/GaAs/AlAs par cathodoluminescence et méthode Monte Carlo. 2007. UNIVERSITE MENTOURI CONSTANTINE.

[I-3] Redha AOUATI. THESE présentée pour l'obtention du GRADE de DOCTEUR. Etude de l'interaction électron-matière des nanostructures de l'arséniure de gallium. 2011. UNIVERSITE MENTOURI CONSTANTINE.

[I-4] Redha AOUATI. THESE présentée pour l'obtention du GRADE de DOCTEUR. Etude de l'interaction électron-matière des nanostructures de l'arséniure de gallium. 2011. UNIVERSITE MENTOURI CONSTANTINE.

[I-5] Wilfried DESRAT. THESE présentée pour l'obtention du GRADE de DOCTEUR. Résonance magnétique nucléaire détectée résistivement sur des hétérostructures GaAs/GaAlAs en régime Hall quantique. 2002. I.N.S.A. Toulouse.

[I-6] Physique de la matière condensée et des nano-objets TD8-2011. Puits quantiques et super-réseaux semi-conducteurs.

[I-7] Kaled BENATMANE. THESE présentée pour l'obtention diplôme de Magister. Etude de lasers à base de semi- conducteurs III-V. Soutenu le 14 / 12 / 2011. Université El -Hadj Lakhder - Batna.

Chapitre II : Etude fondamentale du Modèle de la fonction diélectrique

Application sur l'étude des propriétés optiques
dans l'infrarouge lointain de GaAs, GaAlAs&

II-1). Introduction:

Dans ce chapitre, nous présenterons les paramètres physiques permettant de décrire l~interaction onde-matière dans un semi-conducteur. Une attention toute particulière est donnée à la fonction diélectrique complexe R ( ) qui est le cSur de l~analyse de la réponse optique des

semi-conducteurs et de laquelle toutes les propriétés optiques comme les coefficients d~absorption (k) et de réflexion (n) découlent.

Le modèle de la fonction diélectrique est un modèle physique qui donne d~excellents résultats tant qualitatifs que quantitatifs pour les propriétés optiques d~échantillons, dont la réflectivité optique d'un matériau et ses caractéristiques est complètement déterminée par la constante diélectrique complexe. Cependant nous allons voire dans ce chapitre une étude fondamentale de la fonction diélectrique d~un échantillon (GaAs, GaAlAs) par deux modèles (Lorentz et Drude), l~intérêt de cette fonction diélectrique à l~interprétation au niveau microscopique de l~évolution de la réflectivité optique d~un échantillon (résonances des phonons optiques, résonance des plasmons, leurs couplages,&) && .

La propagation des ondes électromagnétiques, de fréquence donnée dans un milieu

diélectrique (supposé isotrope), est caractérisé par une fonction complexe appelée la fonction diélectrique [II-1]:

R ( ) = '( ) - j"( ) (II-1)

qui représente sa réponse à une perturbation extérieure dépendant du temps, perturbation constituée par interaction entre la polarisation du cristal et le rayonnement excitateur.

Cependant les matériaux issus d~un alliage d~éléments des colonnes III et V du tableau périodique, en particulier GaAs, AlAs&, ils présentent une résonance de leur fonction diélectrique dans l~infrarouge lointain entre 20 et 50 microns (la fréquence du rayonnement excitateur soit entre 15 et 6 THz) [II-3]. Dont la résonance de la fonction diélectrique de GaAs est bien modélisée par un oscillateur de Lorentz, où la fonction diélectrique ne tenant en compte que les oscillations des ions (phonons optique).

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"Il faut répondre au mal par la rectitude, au bien par le bien."   Confucius