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8 décembre 2009
Dédicaces
A ma chère grand-mère MEGNE Anne
A la mémoire de mon grand-frère Guy Bertrand
A mes parents et mes frères et soeurs : Marie Laure,
Irène Flore, Léontine Grâce,
Edith Florence, Francklin et Anicet
Remerciements
Je tiens tout d'abord à remercier Dieu Tout Puissant pour
l'intelligence et la santé qu'Il m'a accordées durant
l'accomplissement de ce travail.
Ce travail n'aurait vu le jour sans la présence d'une
grande femme en l'occurrence ma très chère Maman MEKA Madeleine,
qui, de part son courage et son endurance a toujours su, me soutenir durant
toutes les épreuves que j'ai dû traverser durant mon
éducation scolaire et sociale. Je saisis donc l'opportunité pour
lui témoigner une fois de plus toute ma reconnaissance et ma gratitude,
merci Maman.
Je remercie très profondément le Dr. Annie
Sylvie BEYA WAKATA, qui malgrè son planning chargé, a
accepté de diriger ce mémoire en répondant toujours avec
promptitude à mes sollicitations, tant de nature scientifique que
administrative mais aussi pour sa disponibilité, son optimisme et son
enthousiasme. Qu'elle trouve ici, l'expression de ma profonde gratitude.
Je remercie vivement tous les enseignants du
Département de Physique de la Faculté des Sciences de
l'Université de Yaoundé I pour tous les enseignements
dispensés depuis la première année. Je pense
particulièrement aux : Prof. DOMNGANG Samuel, Prof. MANGUELLE
Eliézer, Dr. MAGA Emire, Dr. TCHOFFO Fidèle, Dr. HDR NDJAKA
Jean-Marie, Dr. ZEKENG Serge, Dr. MBIANDA Gilbert, Dr. WAKATA Annie, Dr NDOP
Joseph, Dr. EDONGUE Hervais.
Je remercie tout particulièrement Max et ESSAKA Fritz
pour m'avoir accordé du temps et pour m'avoir plongé dans le bain
de la programmation sans m'y noyer. Leur aide m'a été
également précieuse dans la compréhension des
résultats qu'affichait le programme.
Je remercie les familles WEMBE, SIDZE, FOTSO, FONGUIENG,
KUETCHE, TAGNE, PONE pour leur soutien moral et financier. Je pense aussi
à tout ceux qui m'ont supporté, d'une manière ou d'une
autre, dans la vie de tous les jours et qui m'ont, mine de rien, grandement
facilité la tâche.
Mes remerciements vont également à l'ensemble de
mes chers (es) amis (es), NJOUONANG Herman,
NOUTCHIO Liliane, TCHOUAFA Jean Bonheur, NGUENANG Christian,
TAMBA Gaston, WONSO Arnaud, NANA Landry, KOMGUEP Guy, NGAMI Patiente, TAMGHO
Anicet, KEPCHE Stéphanie, TANGNING Blériand, FEUBI Patrick,
LAPEMEU Nadège, NZEUHANG Rodrigue, TCHAPDA Collinet, TCHIO Martial, YAMO
Dallyl, LEBONGO Achille, NGANKIO Guy avec qui j'ai partagé des moments
de joie et des discussions diverses m'aidant à déstresser.
Je remercie tous mes camarades de promotion, TANKIO Roussel,
TUEKAM Enselme, NGONGANG Rickielle, TCHIAZE Igor, ZAMBOU Serges, NOUDJIO
Martial, DONGHO Moïse, KAMTA Marcel, SIMO Aline et DJINKWI Martial pour la
bonne ambiance qu'ils ont su créer au sein du laboratoire et pour leurs
discussions intéressantes.
Et enfin, un grand merci à toute ma famille, et plus
particulièrement à ma grande soeur, Marie Laure, pour m'avoir
toujours soutenu financièrement, moralement et encouragé. Merci
pour tout.
Que tout ceux qui ont contribué directement ou
indirectement à l'élaboration de ce travail et qui pensent que
leur noms auraient du figurer dans cette rubrique retrouvent ici toute ma
gratitude.
Resumé
Récemment, des études sur les mécanismes
de croissance des nano-cavités dans les semi-conducteurs
implantés d'ions ont été faites (expérimentalement
et numériquement). Ce document met en exergue le calcul numérique
du grossissement de ces nano-cavités par les deux potentiels
mécanismes de base : l'Oswald Ripening (maturation d'oswald) et la
Migration Coalescence. A des températures de recuit appropriées,
les résultats des calculs effectués sont peu différents
des résultats expérimentaux, du moins au niveau de l'allure des
courbes et nous observons l'effet de croissance. Il est important de
décrire les mécanismes de croissance dominants, afin de
déterminer et de contrôler les effets des nano-cavités dans
la fabrication des composants à base de semi-conducteurs. Ces travaux
permettront également de choisir les paramètres d'implantation
ionique appropriés aux performances et exigences requises pour la
fabrication de certains types de composants électroniques.
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