Conclusion
L'amplificateur sommateur et l'amplificateur différentiel
permettent d'effectuer des opérations simples (addition et
soustraction). Mais nous n'avons pas pu réaliser ces montages faute de
matériel. Dans toutes les mesures effectuées nous observons un
décalage entre les résultats théorique et pratique. Pour
minimiser ce décalage il est souhaitable d'appliquer la théorique
de l'amplificateur réel que nous n'avons pas abordée dans ce
mémoire.
BIBLIOGRAPHIE
1- J. Boutigny
Cours de physique
circuits électriques et amplificateur
opérationnel idéal.
1984- Paris
2- G. Decès- H. Lilon.
100 applications des amplificateurs
opérationnels-
Editions Radio.
1981- Paris.
3- J. H. Fouchet
A. Perez- Mass.
Electronique pratique
1986- Paris
4- Curtis. D. Johnson.
Process Control instrumentation
Technologie : (second edition)
1977- 1982 _USA
5- Richard Stevenson
R.B. Moore
Matière et énergie.
1971- Compagny Mac Graw- Hill- Canada.
6- Alain Terras
Richard Joffre
Théorie élémentaire des amplificateurs
opérationnels et applications.
Eyrolles- 1984- Paris.
QUELQUES RAPPELS SOMMAIRES SUR LA DIODE ET LE
TRANSISTOR.
1°) - LA DIODE :
- une diode classique est un dipôle dont le rôle
essentiel est de laisser passer le courant uniquement dans un seul sens. De
plus, elle ne devient conductrice que lorsque la tension à ses bornes
(V= VA-VK) devient supérieure à la tension
seuil ou tension de déchet notée Vd.
Par exemple pour une diode au silicium, Vd =
0,6V ; au germanium Vd = 0,2V.
Mais si la diode est idéale, cette tension prend la valeur
zéro.
Il existe un autre type de diode : diode zener capable de
fonctionner tant en régime direct qu'inverse, donc existence d'un
courant négatif.
- Représentation symbolique et caractéristique des
diodes :
Diode classique
Diode Zener
U
U
Représentation symbolique
I(mA)
I(mA)
0
Ud
U(v)
U(v)
I minimal
I maximal
Caractéristique
Caractéristique
2°) - Le TRANSISTOR
a) - Réalisation : On
l'obtient en diffusant des impuretés de part et d'autre d'une lame de
semi-conducteur.
Si les impuretés sont des électrons, le
semi-conducteur est dit du type P et le transistor correspondant est NPN.
Si les impuretés sont de trous, le semi-conducteur est du
type N, alors le transistor qui en résulte est PNP.
Pour un transistor parfait, les deux zones extrêmes ne sont
pas équitablement dopées, ce qui nous permettra de voir
distinctement trois parties appelées électrodes.
· La lame centrale représente la base (B)
· L'extrémité fortement dopée est
appelée émetteur (E)
· L'extrémité moins dopée
représente le collecteur (C).
- Représentation symbolique :
C
C
C C
C
C
B
B B B
B B
E
E E
E
E
E
Transistor NPN
Transistor PNP
( Représentation symbolique des deux types de
transistor)
Pour monter un transistor on se repère sur ses
électrodes, mais, le montage le plus courant est celui de
l'émetteur commun. Il est composé d'un générateur G
et des résistances RB et RC connectées
respectivement à la base B et au collecteur C pour limiter les courants.
les courants base, émetteur, collecteur sont respectivement notés
par IB, IE et IC.
Rc
RB = Résistance Base
Ic
Rc = Résistance collectrice.
C
RB
IB
E
IE
Montage en émetteur commun d'un transistor NPN
- Relations importantes :
IE= IB + IC
IC = â IB où â est le
coefficient amplificateur du courant.
20 < â < 1000
b) - Exemple de caractéristique
IC = f(UcE)
On trace point par point la variation du courant IC en
fonction de la tension collecteur- émetteur (UCE) on obtient
la courbe suivante : IB3
IC(mA)
IB2
IB1
O
UCE(V)
Caractéristique
IC = f(UCE)
| 
