Conclusion générale page : 42
Conclusion générale
Le travail effectué dans ce mémoire porte sur la
modélisation du bruit de fond dans le transistor MOS à canal long
en basse et moyenne fréquence.
En premier lieu, nous avons présenté une
synthèse de l'essentiel des formalismes physiques responsables du bruit
de fond dans les composants à semi-conducteur.
Il est intéressant de constater que pour
améliorer les performances des systèmes électroniques, une
étude très approfondie du bruit de fond des composants à
semi-conducteurs est nécessaire avant l'étape de la
fabrication.
En deuxième lieu, une modélisation du bruit de
fond dans le transistor MOS a été
effectuée.
En dernier lieu, un outil de travail « Mathcad »
basé sur la simulation est mis à profit pour déterminer
les paramètres influant sur le bruit :
· les paramètres technologiques : une
transconductance élevée améliore sensiblement les
performances en bruit. La seule façon d'augmenter la transconductance
est d'augmenter la largeur de la grille. L'utilisation de matériau de
haute mobilité augmente aussi cette transconductance.
· les paramètres de polarisation : selon les
performances électriques souhaitées, il nécessaire de
déterminer la gamme pour laquelle le transistor MOS produit un minimum
de bruit, dans les application d'amplification et/ou de détection, ou
maximum de bruit dans certaines applications (les oscillateurs par exemple).
Etant donné que, la recherche dans le domaine du bruit
de fond est encore en développement l'étude approchée
faite dans ce projet nous a permis d'acquérir des connaissances
importantes sur l'aspect physique de bruit et sur la modélisation.
[1] B.Pistoulet-Michel Savelli ``physique des dispositifs
électroniques» Dunod-1969.
[2] Gabaiel Vasilescu `` Bruits et Signaux parasites»
Dunod-1999.
[3] Michel Savelli ``Electronique
généralités matériaux» E140 Technique de
l'ingénieur.
[4] Michel Savelli-José Comallonga-Laurent Boggiano
``Bruit de fond et mesures» E1 150- R 310 Technique de
l'ingénieur.
[5] A.Ambrozy ``electronic noise» MacGrow Hill-1982.
[6] B.Makunda-J Moore ``Measurements and interpretation of low
frequency noise in FETs» IEEE-1974.
[7] A Van der ziel ``Unified presentation of 1/f noise in
electronic devices: fundamental 1/f noise sources» IEEE-1988.
[8] A Van der ziel, and A.D.Van.Rheenen ``Extension of the Hooge
parameter concept» SSE-1990.
[9] E.A.Hendriks and R.J.J.Zijlstra ``1/f noise in (100)
n-Channel Si-MOSFETS from T=4.2K to T=295K» SSE-1988.
[10] Mj Buckinghan ``noise in electronic devices and
systems» 1983.
[11] Kostas A Meriadis ``g-r noise spectra of semi-conductor and
insulator with various traps distribution» SEE-1990.
[12] Jean-pierre Colinge et Fernand Van de wiele``Physique des
dispositifs semiconducteurs» De Boeck-1996.
[13] Bernard Boittiaux ``Cours d'électronique-les
composants semi-conducteurs» TEC DOC1995.
[14] Norman G.Einprush ``advanced MOS devices
physics»1989.
[15] Document HTML``Eléments théoriques sur le
bruit dans les circuits électroniques»
http://www.comelec.enst.fr
[16] B.Makunda ``FET noise sources and their effects on
amplifier performance at low frequencies» IEEE-1972.
| 
