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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

( Télécharger le fichier original )
par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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R é p u b l i q u e A l g é r i e n n e D é m o c r a t i q u e e t P o p u l a i r e

M i n i s t è r e de l'E n s e i g n e m e n t S u p é r i e u r et de la R e c h e r c h e Sc i e n t i f i q u e

 

M E M O I R E

Présenté à

 

L'U n i v e r s i t é H a d j L a k h d a r B a t n a
F a c u l t é d e T e c h n o l o g i e
D é p a r t e m e n t d e Génie E l e c t r i q u e

En vue de l'obtention du diplôme de

M AS T E R E N G E N I E E L E C T R I Q U E

Option: Electrotechnique
Présenté par

DEMANE OUSSAMA

Licence Electromécanique
De l'Université de M'sila

SIMULATION ET ETUDE EXPERIMENTALE

D'UN HACHEUR DEVOLTEUR

A BASE D'UN MOSFET

Ê

Mémoire soutenu le : 03 Juillet 2011

Dirigé par:

Mme. KERCHA Mbarka

Je remercie tout premièrement dieu tout puissant qui m'a donné la santé, la volonté et la patience, durant toutes ces longues années.

Je remercie aussi mon promoteur madame KERCHA Mbarka pour ses orientations et surtout sa gentillesse, Il ne faut pas oublier son aide pendant la rédaction de ce projet, pour son suivi continuel tout le long de la réalisation de ce projet et qui n'a pas cessée de me donner aussi que ses conseils et remarques.

Je remercie vivement toute personne qui m'a aidé à élaborer et réaliser ce projet, particulièrement l'enseignante BOUTARAA Leila pour sa gentillesse et son soutient moral, ainsi à tous ceux qui m'ont aidé de prés ou de loin à accomplir ce travail.

Je remercie aussi tous les enseignants du département d'électrotechnique qui ont contribué à ma formation.

J'exprime ma reconnaissance à tous mes amis et collègues pour le soutient moral et matériel&

Enfin, je vous remercier messieurs les jurys pour l'honneur que vous m'avez fait en acceptant de juger mon travail.

SOMMAIRE

INTRODUCTION GÉNÉRALE&&&&&&&&&&&&&&.&. &..& 1

CHAPITRE UN
INTERRUPTEURS À SEMI CONDUCTEURS DE PUISSANCE

I.1. Introduction &&&&&&&&&&.&&&&&&&&&&. &.&..&& 3

I.2. Diode de puissance &&&&&&&&.&&&&&. &&&&&&.&& 3
I.2.1. Fonctionnement parfait &&&&&&&&&&.&&..&&..&.&&. 4

I.2.2. Fonctionnement réel &&&&&&&&&&&.&&. &.& & & 4

I.3. Thyristor &&&&&&&&&&&&&&&&&&&. & &&&& & 5 I.3.1. Fonctionnement parfait &&&&&&..&&&&&&& &&&& 5

I.3.2. Fonctionnement réel &&&&&&&&&&..&&&&&&..&& 7

I.4. Le thyristor GTO (Gate Turn Off)&&&&&&&&&&&&&&.&&.& 9

I.5. Transistor bipolaire de puissance (Bipolar Junction Transistor: BJT) &.&..& 10 I.5.1. Fonctionnement parfait &&&&&&&&&&&&&..&& && 10

I.5.2. Fonctionnement réel &&&&&&&&&&&&&&&&&&.& 11

I.5.3. Choix d'un transistor &&&&&&&&&&&&&..&&& &&. 11

I.5.4. Commutation du transistor &&&&&&&&&&&&&.&. && 12

I.6. Transistor MOS et MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect

Transistor)&&&&&&&&&&&&&&. &&&&&&& &&& . 13

I.6.1. Fonctionnement parfait &&&&&&&&&&&&&&&..&&&. 13
I.6.2. Limite de fonctionnement &&&&..&&&&&&&&. &&&& 14
I.6.3. La protection de la grille du MOSEFT &&&&&&&&&&. &&. 14

I.7. Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) &&&..&&.&&&. 15

I.8. Comparaison entre les différents interrupteurs entièrement commandables & 15

I.9. Conclusion &&&&&&&&&&&&&.&&&&&&.&&..&&& 16

CHAPITRE DEUX
ÉTUDE GÉNÉRALE SUR LES CONVERTISSEURS
CONTINU-CONTINU

II.1. Introduction &&&&&&&&&&.&&&&&&&. && && && 17

II.2. Hacheurs non réversibles &&&&&&&&.&&&&&. &&& && 18
II.2.1. Hacheur dévolteur (Série) &&&&&&&&&..&&&.&&.&&. 18

II.2.1.1. Fonctionnement & &&&&& &&&& && &.& 18

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