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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

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par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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II.2.2. Hacheur survolteur (Parallèle)

Figure II-4 : Schéma d'un hacheur Parallèle.

Dans ce hacheur la tension moyenne de sortie est supérieure à la tension d'entrée, d'où son nom. Cette structure demande un interrupteur commandé à l'amorçage et au blocage (transistor bipolaire, transistor MOS ou IJBT&) et une diode (amorçage et blocage spontanés) [8].

L'inductance permet de lisser le courant appelé sur la source, la capacité C permet de limiter l'ondulation de tension en sortie.

II.2.2.1. Fonctionnement

Lors de la première partie du cycle de fonctionnement de 0 à #177;T, l'interrupteur commandé est fermé (passant). Cette fois, la source et la charge ne sont pas en contact durant cette phase. La diode est alors bloquée.

Lors de la seconde partie du cycle de #177;T à T, on ouvre l'interrupteur commandé et la diode devient passante, c'est alors que la source et la charge sont reliées [9].

II.2.2.2. Calcul de quelques grandeurs

· Valeur moyenne de sortie

On sait que la tension moyenne aux bornes de l'inductance est nulle donc on a en conduction continue:

E.#177;.T = (-E+Vs).(1-#177;).T (II-17)

Soit :

 

(II-18)

 

#177; est inférieur à 1, la tension moyenne de sortie est bien supérieure à la tension d'entrée.

· La relation entre le courant de sortie et le courant moyen dans la diode Is = Id (II-19)
Car le courant moyen dans la capacité est nul.

Donc :

Is = (1-#177;).iL (II-20)

·

(II-21)

Calcul de l'ondulation de courant crête à crête dans l'inductance L

~ =

II.2.2.3. Formes d'ondes

Les formes d'ondes sont de la forme suivante (En supposant la tension et le courant de sortie continus).

Conduction continue Conduction discontinue

Figure II-5 : Forme d'onde d'un hacheur Parallèle.

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