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Simulation et étude expérimentale d'un hacheur dévolteur à  base d'un MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor)

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par Oussama Demane
Université de Batna - Master en génie électrique 2011
  

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III.7. Les résultats expérimentaux

Après avoir passé par l'étude de simulation du circuit de commande et de puissance du hacheur, on présente dans ce chapitre les résultats obtenus des différents essais sur les dispositifs expérimentaux décrit précédemment :

Figure III-16 : Signal triangulaire.

Figure III-17 : Signal continue #177;15.

III.7.1. Bloc de commande du MOSFET (T=2ms/cm ; V=5 V/cm)

Figure III-18 : Signal de comparateur.

Figure III-19 : Signal de gâchette.

III.7.2. La mise en charge du hacheur

Ø Hacheur série alimente une charge résistive (R)

Ve =15 V, R=193 (c), (V =5volt/cm, 0.5v/cm ; T=5ms/cm)

Figure III-20 : Signal de courant et de tension.

Ø Hacheur série alimente une charge mixte (R-L)

Ve =15 V, R=193 (c), L=220 mH, (V =5volt/cm,0.5v/cm ; T=5ms/cm)

Figure III-21 : Signal de courant et de tension en mode de conduction continue.

Figure III-22 : Signal de courant et de tension en mode de conduction discontinue.

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