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Etude des niveaux d'énergie dans la structure de la diode laser "gainp/algainp" par la méthode du pseudopotentiel

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par Laid Abdelali
Université Djilali Liabes Sidi Bel-Abbes  - Mémoire de magister 2009
  

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I-11 GAIN OPTIQUE DANS UNE STRUCTURE A PUITS QUANTIQUE

Le gain optique est un facteur le plus important à étudier dans laser à puits quantique. Ce facteur il faudra non seulement qu'il soit positif pour que le milieu soit amplificateur, mais encore qu'il atteigne une valeur pour que les pertes de la cavité soient compensées, pour que l'émission laser apparaisse. L'optimisation de la structure nécessite un grand degré de calcule numérique parce qu'il y a un grand nombre de paramètres laser, tel que la composition de puits et la barrière quantique, le nombre de puits, la longueur de cavité et la réflectivité de la facette,....

Si l'inversion de population des sous-bandes fondamentales Elc ? Elhh permet de créer un gain supérieur aux pertes, la raie d'émission du laser est donnée par :

? ù = E g + E cl + E hhl (I-29)

Il est donc facile de maitriser dans une certaine gamme la longueur d'onde d'émission du laser en modulant la largeur du puits. Dans une double hétéro structure, seule la composition des matériaux permet d'ajuster la longueur d'onde.

Plusieurs auteurs ont proposé des méthodes de détermination du gain optique des structures à puits quantique. Considérons le modèle d'AL et ASADA [6], ou il est supposé que toutes les sousbandes sont paraboliques et que les transitions obéissent aux règles de sélection k.

8

* * Ì

ù ì m m 2

e h

(I-30)

g ( )

ù = × R f f L E dE

( - ) ( )

2 * * ch c v ch ch

ð h L å m m

+

e h

tr

z 1 E

20

Ou fc et fv sont les fonctions de distribution de Fermi Dirac pour les bandes de conduction et de valence, ces fonctions s'écrivent :

-

{ ( ) } 1

f c 1 exp

= + E cl E Fc KT

- /

(I-31)

-

{ ( ) } 1

f v 1 exp

= + Ë hl E Fv KT

- /

Ou ù est la fréquence angulaire de la lumière, u la mobilité, å la constante diélectrique, k est la
constante de Boltzmann, T la température absolue, m e * et m c * respectivement la masse effective de la

bande de conduction et de la bande de valence.

EFc , EFv sont les quasi-niveaux de Fermi que l'on peut calculer pour une densité de porteurs donnée en utilisant les intégrales de Fermi Dirac :

E Fc = kT ln (en nc- 1)-Ecl

(I-32)

p

E Fv = kT ln e pc - 1)- E hl

Avec n c = p ckT

Pc = ñvkT (I-33)

nc , pc sont respectivement les densité critique de la bande de conduction et la bande de valence.

*

ñc

m e

 

2

ð

ou (I-34)

*

m h

2

ð

ñv

Pour les semi-conducteurs (III-V) et pour les premiers états quantiques, l'élément de la matrice optique pour les ondes de type TE, est donnée par :

E eh

E

cn

(R c2h ) conv

R ? 3 / 4 1 +

ch

E .- E eh (I-35)

R ch ? 3 / 2 ( R c2h ) conv E = E eh (I-36)

e h E E

2 2 ( )

+ Ä l

( )

R 2 g g so

= (I-37)

ch conv 2 E E + ( )

2 / 3 Ä m

eh g so e

(Rc2h ) : matrice optique des matériaux conventionnels (massifs).

e : est la charge de l'électron. Aso : l'énergie de spin orbite.

L ( E eh) : loretzien.

L ( E ch) : largeur caractéristique est donnée par l'expression suivante :

1 ? / ô in

L E

( ) (

=

ch ) ( )

2 2

ð E - ? ù + ? / ô

eh in

(I-38)

ôin : temps de la relaxation de l'intra bande.

Ech : énergie de transition bande à bande soumise à la règle de sélection k : kc =kh.

I-11-1 Gain modal

Le modal c'est le produit du gain optique par le facteur de confinement, les valeurs du facteur de confinement sont M = 0.5 pour les lasers massiques et Q = 0.03 pour les lasers à puits quantiques

[7].

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"Aux âmes bien nées, la valeur n'attend point le nombre des années"   Corneille