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Modélisation et simulation du bruit de fond dans le transistor MOS à  canal long

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par Abdoun SLIMANI
Université Hassiba Benbouali Chlef Algérie - Ingénieur d'état 2004
  

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Résumé:

Le travail présenté dans ce mémoire concerne la modélisation et la simulation de bruit de fond dans le transistor MOS à canal long en basse et moyenne fréquence.

En ce qui concerne la modélisation, une étude de la physique a été présentée afin de décrire les différentes sources de bruit de fond dans le transistor MOS: le bruit thermique, le bruit en 1 / f et éventuellement le bruit de grenaille, ...

En ce qui concerne la simulation, un outil informatique « Mathcad » a été utilisé afin de rendre compte de l'influence des paramètres technologiques et de polarisation.

Mots clés:

MOSFET, bruit de fond, simulation, modélisation, basse fréquence, Mathcad.

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