Elaboration et caractérisation physique des couches minces de TiO2 déposées par pulvérisation cathodique

Chapitre 3 : Elaboration et caractérisation des couches de TiO2

D'après le spectre de diffraction (Fig 3.6), on remarque que le pic principal qui représente la phase rutile R (110) de TiO2 est plus intense et plus fin pour les couches déposées à 200 °C que celui des couches déposées sur des substrats chauffées à 100 ainsi qu'à 300 °C.

Effectivement, les grains de la phase rutile d'orientation cristalline (110) ont la plus grande taille à 200°C d'après le tableau 3.2. En effet, d'après le diagramme de Movchan et Demchishin (figure 2.14) nous savons que lors de la réalisation de couches, plus la température est importante, plus les grains sont gros.

Par contre, pour les couches déposées à 300 °C, on remarque que la taille des grains diminue. Ceci est dû à l'apparition d'une deuxième orientation cristalline suivant le plan (210) favorisant une couche polycristalline.

3.3.4 Couches élaborées sur des substrats de silicium

La figure 3.8 représente les spectres de diffraction des rayons X des différentes couches minces de TiO2 déposées sur des substrats de silicium type P et d'orientation (100) à température ambiante, 100, 200 et 300 °C.

^{21 28 35 42 49 56}

021)

³⁰⁰⁰

²⁵⁰⁰

²⁰⁰⁰

¹⁵⁰⁰

¹⁰⁰⁰

⁵⁰⁰

⁰

(

201)

^200°C

^TAmb

^300°C

^100°C

^{Angle de Bragg 2?} (°)

Fig. 3. 8 Spectres de DRX des couches de TiO2/Si