3.6. RECEPTEUR OPTIQUE
3.6.1. PHOTORESISTANCE
Son symbole se présente de la manière suivante
(figure 3.8) :
Figure 3.8 : photorésistance
La photorésistance est une résistance variable
en fonction de l'éclairement qu'elle reçoit.
Son principe est basé sur l'effet
photoélectrique dans un semi-conducteur de type N (39).
Exemple : photorésistance VT 935 G :
- Pointe des réponses spectrales : 550 nm
(vert - jaune) - Résistance pour E = 10 lux : 10 KO
38 BISSIERES, Ch., Op.cit., P.5
39 MAYE, P., Optoélectronique
industrielle : conception et applications. Electronique, Paris, Dunod,
2001.
41
- Résistance d'obscurité : 1
Mû - Temps des réponses : 20 ms.
Caractéristiques générales :
- Bonne sensibilité
- Inertie élevée (temps des
réponses importants) - Bruit de fond important.
La photorésistance est en général
utilisée pour le contrôle automatique de luminosité
(éclairage, appareils photo et caméra).
Elle est très peu utilisée dans les liaisons
optiques à cause de son temps des
réponses élevées.
3.6.2. PHOTODIODE
Une photodiode a comme symbole (figure 3.9) ci-dessous :
Figure 3.9 : photodiode
Ce sont des diodes à jonction PN avec la région P
fortement dopée.
Elles sont branchées en inverse (sens bloqué) et
le courant négligeable dans l'obscurité deviendra important sous
l'éclairement de la jonction.
Une photodiode est un composant électronique ayant la
capacité de détecter un rayonnement du domaine optique et elle le
transforme en signal électrique.
Exemple : photodiode Centronics AEPX 65 (grande vitesse) :
- Plage de longueur d'onde : 400 - 1000 nm
(visible + infrarouge). - Pointe des réponses
spectrales : 800 nm (rouge).
- Sensibilité (U = 5V et X = 820 nm) :
0,35 A / W.
- Temps de monté de courant photo : 1
ns.
Caractéristiques générales :
- Bonne sensibilité.
- Temps des réponses très
faibles.
42
La photodiode est généralement utilisée
dans les systèmes d'alarme, les codeurs optiques, la détection de
fluctuation de lumière et la détection d'impulsions lumineuses
rapides (fibres optiques).
3.6.3 PHOTOTRANSISTOR Voici son symbole
(figure 3.10) :
Figure 3.10 : Phototransistor
Elle a le même caractéristique que la photodiode,
sa sensibilité est très élevée, son courant de
sortie est supérieur d'une centaine de fois à celui d'une
photodiode, mais sa rapidité est moindre.
Le phototransistor joue le rôle de capteur, il laisse
passer un courant d'intensité proportionnelle à
l'intensité lumineuse reçue et il module le signal
électrique dans le circuit en fonction de l'onde reçue.
Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base
est sensible au rayonnement lumineux ; sa base est alors dite flottante
puisqu'elle est dépourvue de connexion.
Lorsque la base n'est pas éclairée, le
transistor est parcouru par le courant de fuite ICE0.
L'éclairement de la base conduit à un
photo-courant Iph qu'on nomme courant de commande du
transistor.
Celui-ci apparaît dans la jonction collecteur-base sous
la forme suivant :
(22)
Le courant d'éclairement du phototransistor est donc le
photo-courant de la photodiode collecteur-base multiplié par
l'amplification â du transistor.
Sa réaction photosensible est donc nettement plus
élevée que celle d'une photodiode (de 100 à 400 fois
plus).
Par contre le courant d'obscurité est plus important.
43
| 
