Chapitre IV: Résultats et discussion
IV.1. Résultats
IV.1.1. Germination des semences
IV.1.1.1. Comparaison du taux de germination (TG) en
fonction du substrat et du prétraitement
La figure 19 présente les résultats du TG des
graines de Morinda citrifolia L. suivant les différents
prétraitements et substrats. Le taux de germination a été
de 50% pour l'ensemble du dispositif. Le pourcentage de germination le plus
élevés a été enregistré avec les graines
semées dans le substrat deux (2) (75% terre humifiée + 25% Sciure
de bois) soit un pourcentage de 68% des graines germées avec un taux de
96% pour le traitement témoin, 89% et 86% pour la scarification et la
macération. Les plus faibles taux de germinations ont été
enregistrés avec le substrat un (1) soit 32% des graines germées
avec des taux respectifs de 34%, 41%, et 51% pour les traitements
témoin, la scarification et la macération. On a aussi
relevé que les graines traitées avec de l'eau chaude n'ont pas
germées dans les deux types de substrat.
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100%
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96%
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89%
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90%
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86%
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80%
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70%
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60%
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51%
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50%
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41%
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40%
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34%
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30%
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20%
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10%
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0% 0%
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0%
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E. Chaude Macération Scarification Temoin
TG S1 TG S2
Taux de germination
Figure 19 : Taux de germination des graines suivant les
différents prétraitements et substrats
27
L'analyse de variances de la germination (Tableau 5) montre
qu'il n'y a pas de différences significatives entre les substrats
(p-valeur = 0,09861), de même pour les traitements utilisés
(P-valeur = 0,86651) et pour l'effet d'interaction substrats x traitements
(P-valeur = 0,60239).
Tableau 5:ANOVA non paramétrique a deux facteurs
selon le test de Scheirer-Ray-Hare
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Df
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SCE
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H
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P- Valeur
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Substrats
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1
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11961
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2,72793
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0,09861
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Traitements
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2
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1256
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0,28656
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0,86651
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Substrats x Traitements
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2
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4445
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1,01371
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0,60239
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Résiduelles
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258
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SCE : Somme des carrés des écarts ; Df :
degré de liberté
IV.1.1.2. Comparaison des courbes de germination
suivant le substrat et le prétraitement
Les figures 20 et 21 représentent l'évolution de
la germination de Morinda citrifolia L. en fonction du temps pour
l'ensemble des prétraitements. Ces courbes montrent que la
cinétique de germination varie distinctement selon les
prétraitements utilisés et selon le type de substrat. Elles se
présentent sous forme des courbes sigmoïdes avec trois zones bien
distincte. Pour la figure 20 la première phase correspond aux cinq (5)
premières semaines après le semis et se caractérise par
des très faibles taux de germination 3%, 3% et 1% respectivement pour la
macération, la scarification et le témoin. Le début de la
deuxième phase est identique pour la macération et la
scarification, elle correspond à l'intervalle allons de cinq à
sept semaines avec des taux de germination de 41% et 33%, pour le témoin
avec un taux de 28% et un intervalle allons de la cinquième semaine
à la huitième. La troisième phase débute à
la septième et à la huitième semaine selon les
prétraitements, elle est caractérisée par la fin de
germination avec des taux de 51%, 41% et 33% pour la macération, la
scarification et le témoin. Par contre, on observe que la germination
s'est produite dès la quatrième (4) semaine après le semis
pour la figure 21 ce qui correspond à la première phase et avec
les taux cumulés de germination inférieure à 5% pour tous
les prétraitements sauf avec les graines traitées avec de l'eau
chaude. La phase deux intervient entre la quatrième et la
septième semaine avec des taux de 84%, 82% et 91% pour la
macération, la scarification et le témoin. A la onzième
semaine qui correspond à la fin de la phase trois on observe les taux
cumulés de germination les plus élevés. Le traitement des
graines avec de l'eau chaude a enregistré un taux cumulé de
germination de 0% dans les deux figures.
Taux cumulé de germination
40%
60%
50%
30%
20%
10%
0%
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Temoin Scarification E. chaude Macérétion
28
Figure 20: Courbe de la cinétique de germination
du substrat un
Taux cumulé de germination
100%
40%
90%
80%
70%
60%
50%
30%
20%
10%
0%
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Temoin Scarification E. Chaude Macération
Figure 21: Courbe de la cinétique de germination
du substrat deux
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