étude ab-initio des propriétés électroniques et optiques de couches minces à base de tio2.

1.2.2 Pompe :

Le débit de la solution à pulvériser est contrôlé par une pompe aspirante (ISMATEC). Le choix du débit de pulvérisation résulte d'un compromis entre vitesse de croissance des couches la plus rapide possible, bonne cristallinité et orientation privilégiée des grains. Pour cela, nous avons réglé les débits de liquide et de gaz aux valeurs respectives de 4mL.mn -1 et 4L.mn -1.

1.2.3 Plaque chauffante :

La plaque chauffante utilisée est un bloc de fonte grise, de dimensions 12 x 10 x 3 cm³, parallélépipédique, fabriqué pour assurer un contact le plus parfait possible avec le substrat. A l'intérieur de cette plaque, trois éléments chauffants sont connectés en parallèle l'un à côté de l'autre afin d'avoir une température suffisamment homogène sur toute la surface de la plaque. Le pouvoir de chacun la résistance est de 100 watts.

Pour assurer la stabilité thermique de la plaque, un type d'alimentation « PYROLABO » muni d'un thermocouple de contrôle (régulateur de température) qui est introduit dans le bloc.

Chapitre II Méthodes de calcul et matériels

22 | P a g e

La température du substrat Ts pendant la pulvérisation est contrôlée à l'aide d'un deuxième thermocouple, dont le fin est intégrée dans une très petite quantité de étain fondu (pureté 99%, température de fusion = 232 O C) appliqué à un contrôle du substrat température.

FIGURE 2.1 - Schéma général d'un procédé de dépôt par pyrolyse par pulvérisation