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Etude des nano-cavités en vue de la réalisation des matériaux alternatifs à base de semi-conducteurs

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par Armand FOPAH LELE
Université de Yaoundé 1 - D.E.A en Physique option Sciences des Matériaux 2009
  

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8 décembre 2009

Dédicaces

A ma chère grand-mère MEGNE Anne

A la mémoire de mon grand-frère Guy Bertrand

A mes parents et mes frères et soeurs : Marie Laure, Irène Flore, Léontine Grâce,

Edith Florence, Francklin et Anicet

Remerciements

Je tiens tout d'abord à remercier Dieu Tout Puissant pour l'intelligence et la santé qu'Il m'a accordées durant l'accomplissement de ce travail.

Ce travail n'aurait vu le jour sans la présence d'une grande femme en l'occurrence ma très chère Maman MEKA Madeleine, qui, de part son courage et son endurance a toujours su, me soutenir durant toutes les épreuves que j'ai dû traverser durant mon éducation scolaire et sociale. Je saisis donc l'opportunité pour lui témoigner une fois de plus toute ma reconnaissance et ma gratitude, merci Maman.

Je remercie très profondément le Dr. Annie Sylvie BEYA WAKATA, qui malgrè son planning chargé, a accepté de diriger ce mémoire en répondant toujours avec promptitude à mes sollicitations, tant de nature scientifique que administrative mais aussi pour sa disponibilité, son optimisme et son enthousiasme. Qu'elle trouve ici, l'expression de ma profonde gratitude.

Je remercie vivement tous les enseignants du Département de Physique de la Faculté des Sciences de l'Université de Yaoundé I pour tous les enseignements dispensés depuis la première année. Je pense particulièrement aux : Prof. DOMNGANG Samuel, Prof. MANGUELLE Eliézer, Dr. MAGA Emire, Dr. TCHOFFO Fidèle, Dr. HDR NDJAKA Jean-Marie, Dr. ZEKENG Serge, Dr. MBIANDA Gilbert, Dr. WAKATA Annie, Dr NDOP Joseph, Dr. EDONGUE Hervais.

Je remercie tout particulièrement Max et ESSAKA Fritz pour m'avoir accordé du temps et pour m'avoir plongé dans le bain de la programmation sans m'y noyer. Leur aide m'a été également précieuse dans la compréhension des résultats qu'affichait le programme.

Je remercie les familles WEMBE, SIDZE, FOTSO, FONGUIENG, KUETCHE, TAGNE, PONE pour leur soutien moral et financier. Je pense aussi à tout ceux qui m'ont supporté, d'une manière ou d'une autre, dans la vie de tous les jours et qui m'ont, mine de rien, grandement facilité la tâche.

Mes remerciements vont également à l'ensemble de mes chers (es) amis (es), NJOUONANG Herman,

NOUTCHIO Liliane, TCHOUAFA Jean Bonheur, NGUENANG Christian, TAMBA Gaston, WONSO Arnaud, NANA Landry, KOMGUEP Guy, NGAMI Patiente, TAMGHO Anicet, KEPCHE Stéphanie, TANGNING Blériand, FEUBI Patrick, LAPEMEU Nadège, NZEUHANG Rodrigue, TCHAPDA Collinet, TCHIO Martial, YAMO Dallyl, LEBONGO Achille, NGANKIO Guy avec qui j'ai partagé des moments de joie et des discussions diverses m'aidant à déstresser.

Je remercie tous mes camarades de promotion, TANKIO Roussel, TUEKAM Enselme, NGONGANG Rickielle, TCHIAZE Igor, ZAMBOU Serges, NOUDJIO Martial, DONGHO Moïse, KAMTA Marcel, SIMO Aline et DJINKWI Martial pour la bonne ambiance qu'ils ont su créer au sein du laboratoire et pour leurs discussions intéressantes.

Et enfin, un grand merci à toute ma famille, et plus particulièrement à ma grande soeur, Marie Laure, pour m'avoir toujours soutenu financièrement, moralement et encouragé. Merci pour tout.

Que tout ceux qui ont contribué directement ou indirectement à l'élaboration de ce travail et qui pensent que leur noms auraient du figurer dans cette rubrique retrouvent ici toute ma gratitude.

Resumé

Récemment, des études sur les mécanismes de croissance des nano-cavités dans les semi-conducteurs implantés d'ions ont été faites (expérimentalement et numériquement). Ce document met en exergue le calcul numérique du grossissement de ces nano-cavités par les deux potentiels mécanismes de base : l'Oswald Ripening (maturation d'oswald) et la Migration Coalescence. A des températures de recuit appropriées, les résultats des calculs effectués sont peu différents des résultats expérimentaux, du moins au niveau de l'allure des courbes et nous observons l'effet de croissance. Il est important de décrire les mécanismes de croissance dominants, afin de déterminer et de contrôler les effets des nano-cavités dans la fabrication des composants à base de semi-conducteurs. Ces travaux permettront également de choisir les paramètres d'implantation ionique appropriés aux performances et exigences requises pour la fabrication de certains types de composants électroniques.

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La Quadrature du Net