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à‰volution sur la mémoire vive

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par Martial ZOUGOURI
Université catholique de Lille - Licence 2012
  

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II- AVANCEMENT DE LA MEMOIRE VIVE

1- Evolution de la mémoire vive

1.1 La mémoire DDR1

La mémoire DDR1 (Double Data Rate) est un type de mémoire à circuit intégré fondé sur la technologie SDRAM et communément simplifié sous le sigle DDR.

La DDR offre une meilleur bande passante en transférant les données à la fois sur le front montant et sur le front descendant des impulsions d'horloge, cela permet de doubler la vitesse d'accès à la mémoire en lecture et en écriture. Aussi Elle fonctionne à une tension de 2,5 V, comparé au 3,3 V pour la SDRAM. Ceci permet de réduire la consommation électrique.


·
La lecture ou l'écriture de données en mémoires est réalisé à base d'une horloge.

 

EVOLUTION SUR LA MEMOIRE VIVE

 

1.2. La mémoire DDR2 SDRAM

La mémoire DDR2 SDRAM ou DDR-II permet d'accéder des débits deux fois plus élevés que la DDR à fréquence externe égale. Ainsi elle est capable d'envoyer ou de recevoir deux fois plus de données que la DDR.

La DDR2 possède un avantage majeur avec une tension d'alimentation à 1,8 V comparé aussi au 2.5 V pour la DDR, ce qui limite la production de chaleur par effet joule.

Lecture

Ecriture

La DDR2 dispose un plus grand nombre de connecteurs que la DDR (240 pour la DDR2 et 184 pour la DDR).

1.3. La mémoire DDR3 SDRAM

La mémoire DDR3 SDRAM, plus généralement connu sous la forme abrégée aussi DDR3, (Double Data Rate 3rd génération Synchronous Dynamic Randon Access Memory, signifiant en français Mémoire à Accès Direct Synchrone à Débit de Données Doublé de troisième génération). Elle a été conçue dans le but de succéder au standard DDR2, en offrant des améliorations de performances tout en diminuant la consommation électrique.

La consommation énergétique est de 1,5 V sur la DDR3 alors que de 2,5 V sur la DDR à 1,8 V sur la DDR2. La mémoire tampon de pré-lecture pour la DDR3 est d'une largeur de bus de 8 bits, alors qu'elle était de 4 bits pour la DDR2 et 2 bits pour la DDR.

Les barrettes DDR3 ont 240 connecteurs comme les DDR2 mais ne sont absolument compatibles (la différence se fait au niveau des détrompeurs).

 

EVOLUTION SUR LA MEMOIRE VIVE

 

1.4 La mémoire DDR4 SDRAM

La mémoire DDR4 SDRAM qui sera aussi connue sous le nom DDR4 fera son apparition à partir de l'année de 2012 mais sa démocratisation n'est attendue que vers 2015. Toujours dans le même principe, le but c'est d'améliorer la performance de la consommation électrique. En effet, ce module a une bande maximale de 2.133 Gbps (gigabits) et fonctionne avec une tension de 1.2 Volt contre 1.5 Volt pour les modules DDR3. Et jusqu'à 1.05 Volt envers la version de basse consommation. La mémoire tampon de pré-lecture excédera à plus de 12 bits.

Tableau récapitulatif

Le tableau ci-dessous montre l'évolution de chacune des RAM (la bande passante - la mémoire tampon - la consommation électrique).

Mémoires

Bandes passantes

Mémoire tampon

Consommation électrique

DDR1

6.4 Go/s

2 bits

2.5 Volts

DDR2

1.6 GO/s

4 bits

1.8 Volts

DDR3

10 Go/s

8 bits

1.5 Volts

DDR4

3.2 Go/s

12 bits

1.2 Volts

 

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