II .2.2 Cas réel:
La prise en compte de la différence entre les travaux de
sortie du métal et du semiconducteur, des charges d'oxyde, des
états d'interface entraîne l'existence d'une tension de
bandes plates non nulle Vfb . La tension de
seuil du transistor devient : VT = Vfb +
2öf .
Expérimentalement, on détermine la tension de
seuil en extrapolant linéairement la caractéristique de
transfert.
D'autre part, la mobilité des porteurs minoritaires
dans la couche d'inversion est fonction du dopage, des champs
électriques transversal et longitudinal et de la température. En
première approximation, on suppose qu'elle dépend en grande
partie du champ électrique selon la relation suivante [13] [14]:
CHAPTRE ²² Structure et principe de
fonctionnement du transistor MOS page :24
ì0
ì = (²².17)
eff [1 . ( ) ] . [1 / ]
+ V - V
è + E E
g T c
Où è et Ec sont des
paramètres expérimentaux, ì0 est la
mobilité à faible champ. è Traduit
la variation de cette mobilité provoquée par
l'existence d'un champ électrique
transversal (
Ey ) , E / Ec traduit la
diminution de la mobilité correspondant à la saturation de la
vitesse.
| 
