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Etude des niveaux d'énergie dans la structure de la diode laser "gainp/algainp" par la méthode du pseudopotentiel

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par Laid Abdelali
Université Djilali Liabes Sidi Bel-Abbes  - Mémoire de magister 2009
  

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Conclusion générale

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Les composants optoélectronique sont des éléments clés utilisés dans plusieurs domaines tels que les télécommunications, le militaire, la protection civile, le biomédical, et la biologie, qui font désormais partie de notre quotidien. Les travaux de ce mémoire ont porté sur l'étude des niveau d'énergie d'un composant optoélectronique qui est une diode laser à base d' un matériau GaInP, épitaxie sur substrat AlGaInP. Par la méthode de pseudopotentiel.

Le rappel des concepts fondamentaux des alliages semi-conducteurs ainsi que les lois d'interpolation obéissant à la loi de Vegard nous ont permis de déterminer toutes les données utilisées dans nos calculs (paramètre de réseau, gap d'énergie, masses effectives d'électrons et de trous de notre alliage GaInP). Les gaps d'énergie de cet alliage (direct et indirect) dépendent de la température et la pression mais ces deux paramètres n'ont aucune influence sur leurs natures. Nous nous sommes basés sur le modèle de VANDAMME pour calculer l'indice de réfraction.

Les résultats acquis nous ont permis de conclure qu'il est possible de jouer sur la fraction molaire pour contrôler à volonté les gaps et l'indice de réfraction de l'alliage. Le contrôle de ces paramètres est d'une importance capitale pour la conception des composés optoélectroniques.

Dans cette étude, nous avons utilisé l'alliage GaxIn1-xP comme une couche active dans un laser à un seul puits quantiques.

Nous avons étudié les propriétés électroniques de l'alliage GaxIn1-xP sont basés sur l'utilisation de la méthode de pseudopotentiel empirique (E.P.M) combiné avec l'approximation du cristal virtuel (VCA) avec et sans tenir compte de l'effet du désordre compositionnel. L'accorde entre nos résultats et les valeurs expérimentales est trouvé généralement satisfaisant. Le matériaux étudié est trouvé entre un semiconducteur à gap direct pour x ? 0.78 à gap indirect x

?0.78.

Nous avons calculé le facteur de confinement pour la structure à un seul puits quantique. Les valeurs trouvées sont faibles, le facteurs de confinement augmente en fonction de la largeur de puits.

Dans l'étude du gain maximal nous avons trouvé les valeurs optimales reliant ce gain maximal à la largeur de puits, nous avons également procéder à l'étude de la variation du gain maximal en fonction de la densité de courant. Le gain maximal dépend aussi de la température.

Finalement cette étude théorique nous a permis d'aboutir les valeurs optimales pour un laser à puits quantique à base de GaInP/AlGaInP.

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