[1] Principes physiques des lasers à semiconducteurs par
V. Berger Thales Research and Technology, Domaine de Corbeville, 91400 ORSAY,
FRANCE
[2] Cf. Optoelectronique d'E Rosencher et B. Vinter aux Eds
Masson ou Quantum éléctronics de A. Yariv N.Y Wiley Eds.
[3] Cours de physique du solide des composants optroniques a
base de semiconducteurs (documentation I.D.I.L.) par Gilles MARTEL Maître
de Conférence au Groupe d'Optique et d'Optronique (G2O) du CORIA
à l'Université de Rouen.
[4] Livre physique des semiconducteur et des composants
électronique 5 édition henry Mathieu.
[5] Fascicule de brevet européen n0 0407 251
B1. 18/11/93 bulletin 93/46
[6] M. Asada, A. Kameyama, and Y. suematsu,»Gain and
intervalence band absorption quantum-well lasers», ZEEE J. Quantum
Electron. Vol. QE-20,pp. 745-753, july 1984
[7] Livre optoélectronique 2 édition Emmanuel
Rosencher.
[8] A.Aissat, F. Kerkar S. Nacer, M. ElBey, K.Ferdjani, Gain
optique d'un laser a puits quantique March 25-29, 2007- TUNNISSIA.
[9] W.A.Harisson, and S.Ciraci, Phys. Rev B 10 (1974) 1516.
[10] M.L.Cohen and J.R.Chelikowsky, `in electronic structure
and optical proprieties of semiconductors», Springer series in solid
state sciences ed Springer new York (1988).
[11] K.Kassali, These de Doctorat, Université de
Sétif, Algérie, (2005).
[12] H.Aourag,» pseudopotential method theory and
practice», Winter College on Computational condensed matter physics
(1995) University of Sidi Bel-Abbes (1995).
[13] I.V.Abarenkov and V.Heine, Phil. Mag. 12 (1965) 529.
[14] H.Nara and T.Kobayasi, J.Phys.Soc.japan 41 (1976) 1429.
[15] J.R.Chelikowsky and M.L.Cohen, Phys.Rev.B14, (1976)556.
[16] H.Mathieu, Physique des SCs et des composants
électroniques, 5e édition, Dunod 2004
[17] S. Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor
Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP (Wiley, New York, 1992)
.
[18] I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys.
89 (2001) 5815
[19] N. Bouarissa, Mater. Chem. Phys. 65 (2000) 107
[20] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.
(Wiley, New York, 1981), Chap. 12.3.
[21] J.W. Pan, M.H. Chen, J.I. Chyi, T.T. Shih, IEEE Photon.
Technol. Lett. 10 (1998) 1700.
[22] Po-Hsun Lei, Optics Commun. 273 (2007) 532.
[23] M.Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (Eds.), Handbook
Series on Semiconductor Parameters,
[24] S. Adachi, J. Appl. Phys. 61 (1987) 4869 and references
therein
[25] P. Emanuelsson, M. Drechsler, D. M. Hofmann, and B. K.
Meyer, Appl. Phys. Lett. 64, 2849 (1994)
[26] Thése de doctorat de H.Abid << contribution
à l'étude des propriétés électronique et
Optique des alliage ssemi-conducteurs de type III-V
[27] D. vignaud et f. mollot, Conduction band
offset in the AlxGayIn1-x-yP/Ga0.52In0.48P system as studied by luminescence
spectroscopy, J. Appl. Phys. 93, 384 (2003)
[28] M.Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (Eds.), Handbook
Series on Semiconductor Parameters, vol. 2, World Scientific,1999.
[29] S. Adachi, Properties of Group IV, III-V and II-VI
Semiconductors, Wiley, Chichester, 2005.
[30] N.M.Ravindra and k.J Vaandamme,In preceeding of the 14 th
conference opto 94 (ESI paris) pp371-374
[31] MATCHEMPHYS-D-09-02938 Title: Electronic properties of
GaxIn1-xP from Peudopotential calculations A. E. Al-Salami and N.
Bouarissa.
[32] M.L.Cohen and Bergestresser, phys.rev 141, 789 (1966),
phys.rev.164,1096 (1976).
[33] P.j.l.heve.l.k.j.vandamme.infrared
phys.technol.35(1994)609.
[34] S. Adachi, J. Appl. Phys. 61 (1987) 4869 and references
therein.
[35] M.Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (Eds.), Handbook
Series on Semiconductor Parameters,vol. 2, World Scientific,1999.
[36] S.J.Lee, T.S. Kwon, K. Nahm, C.K. Kim, J.Phys. Condens.
Matter 2 (1990) 3253.
[37] Fascicule de brevet europeen n° 0407 251 B1, 18/11/93
bulletin 93/46
[38] Toshihiko MAKINO IEEE journal of quantum electronics VOL 32
no.3, MARCH 1996 Analytical formulas for the optical gain of quantum wells.
