Résumé
Résumé :
Ce travail concerne l'étude des niveaux
d'énergies et l'optimisation des Paramètre intrinsèques
(nombre de puits et leurs largeurs, largeur de barrière de potentiel,
indice de réfraction,...) et extrinsèques (température,
pression) dans la Structure diode laser à base de la structure
GaInP/AlGaInP.
Les méthodes de calcul utilisés sont :
- La méthode du pseudopotentiel empirique pour
déterminer les structures de bands électroniques.
- La méthode graphique pour l'optimisation.
Les résultats trouvés sont en bon accord avec ceux
de l'expérience et le théorie.
Mots clés :semi-conducteur,
GaInP/AlGaInP, pseudopotentiel.
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