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Elaboration et caractérisation physique des couches minces de TiO2 déposées par pulvérisation cathodique

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par Ihsen BEN MBAREK
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis - Mastère en Génie des Systèmes Industriels 2009
  

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Chapitre 2 : Téchniques de dépôt : La pulvérisation cathodique

2.6.3 Pulvérisation RF (Radio-fréquence)

Le dispositif haute fréquence présente la même structure que la pulvérisation diode DC, mais on remplace le champ électrique continu par un champ électrique alternatif à haute fréquence de l'ordre de 13.56 MHz (1 kV crête à crête). On peut ainsi maintenir la décharge jusqu'à une pression inférieure à 10-3 torr. Si l'on ajoute un champ magnétique continu au champ électrique RF, on peut maintenir une décharge stable jusqu'à quelques 10-4 torr. Ceci est un avantage considérable car le libre parcours moyen des molécules gazeuses est d'environ 50 cm [90]. La plupart des atomes éjectés de la cible ne rencontreront pas les molécules du gaz résiduel.

L'avantage essentiel du procédé est de permettre la pulvérisation de n'importe quel matériau, qu'il soit conducteur ou isolant, car dans des systèmes à courant continu les charges électriques des ions bombardant la cible s'accumulent à sa surface. Elles y créent un champ électrique qui repousse les ions du plasma, ce qui a pour effet de réduire considérablement l'efficacité de la pulvérisation.

On peut envisager de travailler en courant alternatif pour décharger la cathode, mais les ions restent suffisamment mobiles pour atteindre les électrodes à chaque moitié de cycle, les deux sont donc pulvérisés (substrat et cible) et le transport de matière est nul. Pour éviter cela, on choisit d'utiliser un plasma haut fréquence. Si on augmente la fréquence, les électrons oscillant dans le champ HF acquièrent suffisamment d'énergie pour provoquer une ionisation efficace et les ions, plus lourds, restent immobiles dans le champ HF et ne provoquent pas la répulvérisation du substrat. Les ions du fait de leur masse restent peu mobiles et les électrons de masse négligeable suivent les changements de polarité (voir Fig. 2.11).

Espace noir

Espace noir

Contre électrode

électrode

cible

Déplacement des
électrons dans le
nuage de plasma

Générateur RF

Fig. 2. 11 Principe de la pulvérisation radiofréquence

ENIT 2009 35

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