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Elaboration et caractérisation physique des couches minces de TiO2 déposées par pulvérisation cathodique

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par Ihsen BEN MBAREK
Ecole Nationale d'Ingénieurs de Tunis - Mastère en Génie des Systèmes Industriels 2009
  

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3.6.1.1 Principe

La spectroscopie d'impédance est une technique de caractérisation qui permet de séparer la contribution de chaque constituant microstructural : grains, joints de grains et porosité. Elle s'appuie sur la différence de capacité électrique qui existe entre ces éléments ; donc en mesurant l'impédance d'un matériau sur une certaine plage de fréquence ; les différents phénomènes seront ainsi mis en évidence.

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Chapitre 3 : Elaboration et caractérisation des couches de TiO2

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Un matériau polycristallin peut ainsi être modélisé par un ensemble de cellules dites élémentaires correspondant aux grains, séparées par une "phase" intergranulaire possédant une conductivité différente (Fig.3.22). Dans la plupart des cas, ces zones intergranulaires sont moins conductrices que les grains.

La modélisation des spectres d'impédance par circuit équivalent permet, dans le cas idéal, de distinguer trois contributions : aux basses fréquences, la réponse de l'interface électrode-matériau, aux moyennes fréquences celle des joints de grains et aux hautes fréquences celles du grain proprement dit.

Fig. 3. 22 Modèle des cellules élémentaires ou modèle des briques ("Brick Layer Model").

Le circuit équivalent d'un tel modèle est constitué de deux circuits RC en série, R1C1 pour les grains et R2C2 pour les joints de grains (fig. 3.23 (a)). L'équation d'un tel modèle est représentée par la formule (17) où Z représente l'impédance.

2??1

??(??) = ??1 2??12 + ??2 2??12 + ????2 2??2

2??22 - ?? ( ????1 2??12) (17)

1+ ??2??1 1+ ??2??2 1+ ??2??1 1+ ??2??1

??(0) = ??1 + ??2 ???? lim ??(??) = 0 (18)

???8

avec w la fréquence de signal angulaire (w=2ðf)

En représentation cartésienne dans le plan complexe, cette expression correspond à deux demi-cercles qui donnent accès par une résolution graphique aux résistances R1 et R2 et aux capacités C1 et C2 (Fig.3.23 (b)).

ENIT 2009 73

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