Chapitre II : Modélisation du système
photovoltaïque connecté au réseau
La contrainte maximale du courant aux bornes de la bobine est
définie par [18] :
(II.20)
( ?á)
Le dimensionnement de l'inductance se fait en considérant
l'expression (II.14) de
l'ondulation du courant qui est égale à : á(
?á)
Le taux d'ondulation est maximal lorsque á = 0.5. Si on
annule la dérivée du taux d'ondulation par rapport au rapport
cyclique pour ensuite la résoudre, l'expression du taux du taux
d'ondulation est :
d
á
= (II.21)
La valeur de l'inductance peut alors être tirée de
l'expression (II.21)
=
(II.22)
L'inductance peut donc être dimensionnée à
partir de la valeur du courant d'ondulation donnée dans l'expression
(II.22)
· DJAMALADINE Mahamat Defallah 34
Dimensionnement de la capacité du
condensateur
le dimensionnement de la capacité du condensateur se
fait en se basant sur l'expression de l'ondulation de la tension de sortie
? exprimée déjà par l'équation (II.19)
? = á = á i
( -á)
L'ondulation de la tension est maximale pour un rapport cyclique
maximal . La capacité
C du condensateur peut alors être
dimensionnée par l'expression (II.24) où Cmin
est égale à :
á
(II.24)
II.3.6.2. Dimensionnement des composants actifs
· choix du transistor
Les interrupteurs de puissance sont choisis pour fonctionner
dans des gammes de puissance et de fréquence bien définies. Le
diagramme logarithmique de la figure II.8 permet de montrer le domaine
d'utilisation des interrupteurs. Etant donné que la puissance de notre
générateur PV soit de 2500 W et notre fréquence de
découpage étant de 10 kHz, on voit bien que le transistor le
mieux adapté est celui de type IGBT ( Insulated Gate Bipolar
Transistor).
ENSIT
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