Chapitre II : Modélisation du système
photovoltaïque connecté au réseau
DJAMALADINE Mahamat Defallah 35
Figure II.8: Diagramme
puissance-fréquence des composants [4]
? Dimensionnement du transistor
D'après la puissance de notre générateur PV
qui est de 2500 W et la fréquence de découpage
qui est de 10 Khz, le transistor à choisir d'après
le diagramme ci-dessus est le transistor IGBT
? Dimensionnement de la diode D
Le choix d'une diode repose aussi sur des critères
essentiels bien définis et qui sont :
c- Le courant moyen IF
Le courant moyen dans la diode est le même que celui dans
le transistor [3].
IF= < ID >= Io (II.25)
d- Le courant crête IFSM
IFSM=IDmax=ILmax= ( (II.26)
?á)
e- La tension inverse VRRM
VRRM=| |= Vomax= i
( ?á) (II.27)
II.4. Commande MPPT
Dans un système photovoltaïque (PV), comme nous
l'avons montré au chapitre I, le rendement d'un GPV dépend
fortement des conditions d'éclairement, de température et de
vieillissement, avec l'existence toujours d'un point de fonctionnement
où la puissance débitée par le GPV est maximale. Pour
optimiser le fonctionnement du système PV, il est nécessaire
d'extraire le maximum de puissance du GPV et ainsi faire fonctionner le
générateur GPV à son point de puissance maximale (PPM).
Ceci est réalisé par l'intermédiaire d'un étage
d'adaptation d'impédance qui est en fait, un convertisseur statique
piloté par une commande spécifique appelée commande MPPT
(maximum power point tracking) (voir figure II.9)
ENSIT
| 
