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Réalisation d'un capteur de gaz MOX

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par Mansour BENDIMERAD
Université des Sciences et de la Technologie d'Oran - Magister en Physique 2009
  

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II.2.1.1 Dépôt par évaporation

Les films métalliques ou semi-conducteurs dans cette déposition par évaporation sont assurés par la condensation de la vapeur métallique sur un substrat, tous les types des métaux sont évaporés, quand ils sont chauffés à des températures suffisamment hautes, le chauffage dans l'évaporation s'effectue par plusieurs méthodes [10].

- chauffage résistif : évaporation par effet Joule.

- chauffage par faisceau d'électron : bombardement électronique.

- chauffage par faisceau laser : appelé évaporation par ablation laser.

II.2.1.2 Evaporation par effet Joule

Ce type d'évaporation consiste à déposer le matériau désiré par évaporation par un filament, nacelle ou creuset, généralement fabriqué à base de métaux réfractaires (tungstène, tantale, molybdène, ou en alumine) dans une chambre sous vide de l'ordre 10-6 à 10-7 Torr [25]. La vitesse de dépôt dépend de la température de la source, de la distance entre le creuset et le substrat mais aussi du coefficient de collage des espèces évaporées sur le substrat. Elle varie classiquement de 1 nanomètre par minute à 10 nanomètre par minute.

Parmi les inconvénients de cette technique, on cite :

- La difficulté d'atteindre de très hautes températures d'évaporation pour le dépôt des métaux réfractaires.

- Les contaminations dues aux chauffages des nacelles et des creusets.

II.2.1.3 Evaporation par bombardement électronique

Cette technique consiste à porter un filament généralement en tungstène ou tantale, à une haute tension négative pour l'accélération des électrons, et les focalises par voie électromagnétique ou électrostatique vers la cible à évaporer. Ainsi l'énergie cinétique des électrons est convertie en énergie thermique pour évaporer le matériau. Cette méthode est très utilisée pour les dépôts des métaux de transition et spécialement les métaux réfractaires parce qu'elle utilise une grande puissance de chauffage avec une très haute efficacité de contrôle de vitesse [25]. L'inconvénient de cette technique résulte du faite de l'impossibilité à travailler à haute pression ainsi qu'à la difficulté d'évaporer des matériaux composés tels que les oxydes et les nitrures.

Faisceau d'électrons

Figure II.2. Schéma de principe d'un système de chauffage par un faisceau d'électrons [26].

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"Il faut répondre au mal par la rectitude, au bien par le bien."   Confucius