II.2.1.4 Evaporation par un faisceau Laser
Le principe de cette technique consiste à irradier la
surface du matériau à évaporer placédans
un creuset, par un faisceau laser avec condensation sur le substrat;
l'élévation de la
température très rapide d'une zone de
très petite surface du matériau donne une évaporation
instantané, et donc une reproduction de la stoechiométrie du
matériau de source dans le flux de vapeur et en général
dans la couche déposée [25]. Cette technique
donne de bons résultats pour les dépôts des
supraconducteurs, alliages ferroélectriques et les mélanges des
matériaux composés. Elle permet de donner une
stoechiométrie des couches déposées celle des
matériaux massif [25,26]. L'évaporation par un
faisceau laser nécessite de mettre la source du laser à
l'extérieur de la chambre à vide et de transmettre le faisceau
laser au travers d'une fenétre (hublot) transparente à
la longueur d'onde du laser utilisé, mais dans le méme temps
compatible avec la bande d'absorption du matériau à
évaporer [26].
Figure II.3. Schéma conventionnelle de
l'ablation Laser [26].
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II.2.1.5 Dépôt par pulvérisation
cathodique
La pulvérisation est un processus qui peut se
définir comme étant l'éjection des atomes superficiels
d'un matériau à déposer par des atomes ionisés d'un
gaz, en général inerte, et le transfert de ces atomes
éjectés sur un substrat que l'on désire recouvrir d'une
couche mince. Ce processus s'effectue dans une chambre sous vide ; après
pompage dans l'enceinte jusqu'à 10-4 - 10-7
Torr [26], on introduit un gaz généralement
de l'argon, à la pression 10-3 à
10-1 Torr [27]. Le plasma est crée
par l'application d'une tension électrique sur la cible, variant
entre 500 et 5000 Volts
[26]. Ce plasma apparaît sous forme d'un nuage luminescent
localiséentre les deux électrodes (cible et substrat).
Au méme instant, un courant électrique s'établit
entre l'anode et la cathode. Les électrons sont
attirés par l'anode (substrat), et les ions positifs sont attires par la
cathode (cible). Les atomes superficiels de la cible sont expulsés de
celle-ci sous l'effet de l'impact des ions positifs contenus dans le gaz
luminescent, et sont ensuite déposés sur le substrat. Ce dernier
se recouvre progressivement d'une couche du méme matériau que
celui de la cible ; on distingue trois différents types de
pulvérisation dont la diode DC, radio fréquence et à
magnétron [28].
Figure II.4. Schéma de principe de la
pulvérisation cathodique [10].
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