II.4.2.2.2 Dépôt de couche mince de
Tungstène
Nous avons aussi utilisé dans nos dépôts une
cible de Tungstène (W), avec une pureté de 99,95 %,
présentant les dimensions suivantes : (L x l x e) = (100 x100 x ) mm
Pour obtenir des dépôts de W avec les
propriétés physiques désirées dans notre travail,
nous avons choisi les paramètres de dépôt indiqués
dans le tableau II.4 :
Tableau II.4. Paramètre de
dépôt de Tungstène.
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Pression du vide primaire
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1.6 Pa
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Pression du vide secondaire
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3.0 10-3 Pa
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Distance cible-substrat
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3 cm
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Pression d'argon
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1.3 Pa - 9 mTorr
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Puissance fournie
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80 Watts
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Temps de dépôt
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De 1/4 heurs à 1/2 heurs
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Température du substrat
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Entre 74 et 81 °C
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II.4.2.2.3 Dépôt de couche mince
diélectrique
La cible diélectrique amorphe du dioxyde de silicium
SiO2 qu'on a utilisée est en verre pur 99.99% et donc
relativement seuls les atomes de silicium et de l'oxygène contribuent
à la formation de la couche. Sont rôle est de protéger la
plaque chauffante formée par la couche mince de nickel et
Tungstène.
Pour réussir notre dépôt nous avons
adopté les paramètres indiqués dans le tableau II.5.
Tableau II.5. Paramètre de
dépôt de SiO2.
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Pression du vide primaire
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1.7 Pa
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Pression du vide secondaire
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6.0 10-3 Pa
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Distance cible-substrat
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3 cm
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Pression d'argon
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1.4 Pa - 10 mTorr
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Puissance fournie
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90 Watts
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Temps de dépôt
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1/2 heures
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Température du substrat
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Entre 96 et 100 °C
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Couche d'isolation formée par le SiO2
Wafer de silicium polycristallin comme substrat
1mm 3mm
1mm
Couche d'isolation formée par le SiO2
Couche mince métallique formée par (Ni+W) comme
mini four intégré
Couche d'isolation formée par le SiO2
Figure II.11. Représentation de la
configuration finale du four.
II.4.2.3 Réalisation de couches minces d'oxyde
de zinc non dopée et dopée II.4.2.3.1
Dépôt de ZnO non dopé et dopé
Pour les besoins d'élaboration de la couche sensible de
notre capteur de gaz nous avons choisie quatre cibles de ZnO non dopé,
ZnO dopé 1% et 3% d'Aluminium et ZnO dopé 1% de Cuivre. Tous
ayant une pureté de 99,99%.
Les paramètres de dépôt sont indiqués
dans le tableau II.6.
Remarque 2 :
La cible de ZnO non dopé a été soumise
à un recuit sous air à la température de 300 °C, afin
de rétablir la stoechiométrie en surface de la cible qui avait
déjà été utilisée auparavant.
Tableau II.6. Paramètre de
dépôt de ZnO non dopé et dopé.
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Pression du vide primaire
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1.4 Pa
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Pression du vide secondaire
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4.8 10-3 Pa
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Distance cible-substrat
position
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3 cm
position //
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Pression d'argon
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2 Pa - 15 mTorr
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Puissance fournie
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120 Watts
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Temps de dépôt
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3 heurs
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Température du substrat
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ZnO
153 °C
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ZnO : 3% Al
127 °C
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ZnO : 1% Al
126 °C
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ZnO : 1% Cu
133 °C
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Couche sensible aux gaz formée par le ZnO non dopé
et dopé Couche d'isolation formée par le SiO2
Wafer de silicium polycristallin comme substrat
Couche d'isolation formée par le SiO2
Couche mince métallique formée par (Ni+W) comme
mini four intégré
Couche d'isolation formée par le SiO2
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Figure II.12. Configuration finale de notre
capteur de gaz, intégrant à la fois les
éléments
chauffants et sensibles aux gaz.
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