WOW !! MUCH LOVE ! SO WORLD PEACE !
Fond bitcoin pour l'amélioration du site: 1memzGeKS7CB3ECNkzSn2qHwxU6NZoJ8o
  Dogecoin (tips/pourboires): DCLoo9Dd4qECqpMLurdgGnaoqbftj16Nvp


Home | Publier un mémoire | Une page au hasard

 > 

Réalisation d'un capteur de gaz MOX

( Télécharger le fichier original )
par Mansour BENDIMERAD
Université des Sciences et de la Technologie d'Oran - Magister en Physique 2009
  

précédent sommaire suivant

Bitcoin is a swarm of cyber hornets serving the goddess of wisdom, feeding on the fire of truth, exponentially growing ever smarter, faster, and stronger behind a wall of encrypted energy

I.5.3.4.1 Mécanisme de la non stoechiométrie a conductivité n

- Soit M le métal et O l'oxygène :

Ces composés possèdent une sous stoechiométrie due à des lacunes anioniques MO1-x (cas du ZnO, TiO2) ou d'une insertion cationique M1+xO (cas du SnO2, PbO2, CeO2).

I.5.3.4.2 Mécanisme de la non stoechiométrie a conductivité p

 

Les composés qui possèdent une conductivité de type p sont des oxydes métalliques avec des lacunes cationique M1-xO (cas du NiO, Cu2O, MnO) ou d'une insertion anionique MO1+x (cas du UO2).

L'existence des états accepteurs dans un oxyde métallique de type n non dopé est une vérité mais la classification stoechiométrique mentionnée ci haut est la plus dominante à propos de l'identification du type semiconducteur.

Housten et al [11] ont proposé un modèle des bandes d'énergie et ont recensé pour des monocristaux d'SnO2 de type n des niveaux accepteurs situés au dessus de la bande de valence BV, le plus proche a été distant de 0,33 eV de la BV.

Egalement pour le ZnO de type n, K. S Weibenrieder et al [12] ont proposé un model statistique pour calculer les niveaux d'énergie localisés à la bande interdite et ils ont montré l'existence des états accepteurs de type lacune de zinc dont la distance énergétique entre ces niveaux et la BV dépend des conditions d'élaboration par conséquent le taux de ces états accepteurs explique l'état de compensation du ZnO et non le type du semiconducteur.

I. 5.3.4.3 Effet de la morphologie sur les propriétés électrique des oxydes métalliques

En effet touts oxydes métalliques possèdent une agglomération polycristalline, la hauteur des barrières de potentiel qui existe entre les grains dépend de la Morphologie du matériau de départ et des conditions de synthèse, à cet effet on constate que la taille des grains, rapport surface volume, porosité, sauront joués le rôle prédominant et important sur les propriétés électriques d'un oxyde métallique semiconducteur.

De manière générale, les travaux menés par beaucoup de chercheur s'accordent sur le fait que les matériaux constitués de cristallites de très petites dimensions sont les plus sensibles à l'action des gaz [13].

I.5.3.4.4 A propos des joints de grains

Les joints de grains sont la région inter faciale entre deux grains d'orientations cristallographiques différentes, elles sont dues essentiellement à un désaccord entre les différentes distributions atomiques des deux grains de contact. Chaque grain contribue à la conductivité lors d'interaction du gaz avec le film qui peut être modelé avec les barrières de potentiel, l'existence des états de surface provoque une charge électrique Sur les surfaces des grains. Ceci produit les deux potentiels de surface et de joint de grains, aussi bien beaucoup d'auteur considère que les joints de grains comme des régions de recombinaison - passages vis-à-vis des porteurs minoritaires / majoritaire [11][12][14].

Figure I.15. Représente une schématique de joint de grain a x = 0 et les bandes d'énergies correspondantes. Un piégeage d'un électron de conduction est illustré. Les largeurs d'épuisement dans les grains sont xd1 et xd2, respectivement. Ec et le bas de la bande de conduction, Ev du dessus de la bande de valence, Ef est le niveau de Fermi, q est la charge d'électron, et Vb est la hauteur de la barrière de potentielle respectivement L9].

Pour le potentiel VB de joint de grain, il joue le rôle d'une barrière pour les électrons de conduction qu'elles limitent leur mouvement considérablement. Le pliage de bande provoque l'épuisement des électrons de conduction prés des surfaces des grains et les joints de grains. La densité de charge à la surface des joints de grains est représenté NB (par unité de surface). La courbure de bande de la structure montrée sur la figure I.15 s'appelle souvent Schottky dos à dos ou double barrière de Schottky L9].

précédent sommaire suivant






Bitcoin is a swarm of cyber hornets serving the goddess of wisdom, feeding on the fire of truth, exponentially growing ever smarter, faster, and stronger behind a wall of encrypted energy








"Soit réservé sans ostentation pour éviter de t'attirer l'incompréhension haineuse des ignorants"   Pythagore