Résumé
L'oxyde de zinc (ZnO) est un matériau binaire,
semi-conducteur à large gap direct (3,3 eV) .Vu leurs bonnes
propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent
plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs à gaz,
capteurs piézoélectrique, guides d'ondes...etc. Les films minces
ZnO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut
citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation
réactive, sol gel, ablation laser...etc. Dans ce travail, des couches
minces d'oxyde de Zinc ont été déposées par la
technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. Notre
intérêt consiste à améliorer la qualité de
ces couches par l'étude de l'influence des dopants sur les
propriétés structurales, optiques et électriques afin
d'obtenir des couches transparentes et conductrices.). Pour cela, nous avons
utilisé trois sources des dopants (Al2(SO4)3, Al(NO3)3, InCl3).
A chaque fois, le taux de dopage a été varié de 0 à
8% en poids. La caractérisation optique des films a été
réalisée à l'aide d'un spectrométrie UV- Visible
dans la gamme spectrale allant de 200 à 800 nm. L'analyse des spectres
de transmittance nous a permis de déterminer les épaisseurs et
les gaps des films. A partir des spectres de transmittance nous avons
déduit les gaps optiques Eg des films de ZnO.
Selon les conditions d'élaboration les valeurs des gaps
obtenues varient entre 3.4 à 3.1 eV. Les
spectres de diffraction des
RX montrent que les films déposés avec différents
pourcentages du
dopage sont fortement texturés et présentent
une orientation préférentielle suivant la direction
(002). Les mesures électriques ont été
réalisées à l'aide de la technique des deux pointes
quipermet de déduire la conductivité et
l'énergie d'activation.
Mots Clés : ZnO, Couche
Mince, Spray, Transmittance, Propriété physique, DRX.
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