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Contribution à  l'étude structurale et microstructurale de films ZnO obtenus par ablation laser

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par Adel TAABOUCHE
Université Mentouri Constantine Algérie - Magister en sciences des matériaux 2010
  

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Chapitre III

Résultats et discussions

III.1. Analyse par RBS.

L'oxyde ZnO est non stoechiométrique quand il est sous forme de couches minces et selon la littérature sa composition influe énormément sur ses caractéristiques physo-chimiques. Il devient donc légitime de s'interroger sur la proportion des éléments présents. Les spectres énergétiques obtenus par la méthode RBS permettent de déterminer, en plus de l'épaisseur du film, la proportion d'oxygène et de zinc, formant la couche non dopé, et aussi la teneur de l'élément dopant Al.

La figure III.1.a montre un exemple de spectre RBS expérimental et simulé d'une couche mince d'oxyde de zinc non dopé déposée sur un substrat de Si(100). Le spectre RBS est constitué d'un signal Zn du côté des hautes énergies et d'un signal O du côté des faibles énergies. Le plateau énergétique apparaissant entre ces deux pics correspond à Si du substrat. La simulation de ce spectre à permis d'estimer à 370 nm l'épaisseur de la couche ZnO et déterminer les compositions atomiques moyennes de Zn et O de valeurs 57.8 et 42.2 %at respectivement. Il ressort de cette analyse RBS que l'oxyde de zinc formé non stoechiométrique avec un manque d'oxygène et donc un excès de zinc.

Energy (MeV)

0.5 1.0 1.5

Normalized Yield

40

20

30

10

0

Experimental Simulation

O Si

Zn

100 200 300 400 500 600 700

Channel

Figure III.1.a. Spectre RBS expérimental et simulé d'une couche mince d'oxyde de zinc
déposé sur un substrat Si(100).

La figure III.1.b représente le spectre d'analyse RBS enregistré dans une couche mince d'oxyde de zinc dopé 3 %at aluminium et déposée sur un substrat de Si(100) (échantillon AZO3). On voit clairement que l'aspect du spectre RBS est analogue à celui de la figure III.1.a, c'est à dire il est constitué de trois signaux relatifs à l'oxygène, le silicium et le zinc. Les valeurs des compositions atomiques obtenues par simulation RBS sont 40.5 % O, 57 % Zn et 2.5 % Al. Il est intéressant de constater que c'est le zinc qui est toujours en excès et que la concentration atomique de l'aluminium est très proche de sa valeur nominale. Cependant, la couche AZO3 admet une épaisseur égale à environ 210 nm, nettement inférieure à celle du film ZnO non dopé. Ce fait peut être facilement confirmé en superposant les deux spectres RBS. Le signal RBS de Zn est plus large en énergie dans le premier cas, sachant que l'étendue énergétique des signaux RBS des éléments proportionnelle à l'épaisseur renfermant ces éléments.

Energy (MeV)

0.5 1.0 1.5

Normalized Yield

40

20

30

10

0

____ Experimental ____ Simulation

O SiAl

Zn

100 200 300 400 500 600 700

Channel

Figure III.1.b. Spectre RBS expérimental et simulé d'une couche mince d'oxyde de zinc dopé
3%at. aluminium AZO3 et déposée sur du substrat Si(100)
.

La figure III.1.c montre le spectre RBS correspondant à l'échantillon AZO5 formé couche mince d'oxyde de zinc dopé au 5 %at. aluminium déposée sur un substrat de Si(100). D'une façon analogue aux ces précédents, la simulation RBS a abouti à la valeur de l'ordre de 120 nm

pour l'épaisseur du film AZO5 et aux concentrations atomiques 63.6 % Zn, 31.7 % O et 4.7 %
Al. Ces dernières confirment l'excès de zinc par rapport à la composition stoechiométrique et la
concentration atomique nominale de Al proche de la valeur mesurée expérimentalement par RBS.

Il ressort donc que le procédé de dépôt par ablation laser n'affecte pas la composition du dopage de la couche par rapport à la cible pulvérisée. Par contre, le transport des éléments Zn et O depuis la cible vers le substrat n'est pas stoechiométrique avec un défaut d'oxygène.

____ Expérimental

____ Simulation

Figure III.1.c. Spectre RBS expérimental et simulé de l'échantiion AZO5 formé d'une couche
mince d'oxyde de zinc dopé à aluminium (5%at.) sur un substrat Si(100).

Les spectres des figures III.1 sont constitués des signaux relatifs au zinc (~1.5 MeV), au silicium (~ 1.1 MeV), au aluminium (~ 1 MeV) et à l'oxygène (~ 0.7 MeV).

La distribution des atomes Al dans la matrice de ZnO est homogène tout au long de l'épaisseur de la couche mince et il n'y a aucune évidence quant à d'éventuelles inhomogénéités de concentrations.

Après avoir effectué les caractérisations RBS nécessaires à la détermination des épaisseurs et de la composition quantitative des éléments Zn, O et Al formant les couches minces ZnO et AZO, ou procède maintenant à l'analyse structurale des échantillons élaborés par le procédé PLD.

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