Contribution à l'étude structurale et microstructurale de films ZnO obtenus par ablation laser

• Remerciements
  
• Table des matières
  
• Chapitre II: Préparation des films ZnO et technique de caractérisation
  
• Chapitre III: Résultats et discussions
  
• Introduction générale
  
• Introduction générale
  
• Chapitre I
  
• Etude bibliographique relative aux
  
• couches minces de ZnO et les
  
• techniques de dépôt
  
  • I-1. Propriétés physiques de l'oxyde de zinc
    
    • I.1.1. Propriétés cristallographiques de ZnO
      
    • I.1.2. Structure électronique de bande
      
    • I.1.3. Propriétés optiques.
      
    • I.1.4. Propriétés électriques de ZnO
      
  • I.2. Applications des couches minces ZnO
    
    • I.2.1. Application aux photopiles solaires
      
    • I.2.2. Applications optoélectroniques
      
    • I.2.3. Optoélectronique dans les hétérostructures à base de ZnO
      
  • I.3. Les oxydes transparents et conducteurs (TCO)
    
    • I.3.1. Généralités : qu'est-ce qu'un TCO
      
    • I.3.2. Choix d'un TCO
      
  • I.4. Technique expérimentales de dépôt des couches minces
    
    • I.4.1. Dépôts physiques en phase vapeur
      
      • I.4.1.1. La pulvérisation cathodique.
        
      • I.4.1.2. L'évaporation sous vide.
        
      • I.4.1.3. Le dépôt par ablation laser pulsé (PLD)
        
    • I.4.1.3.1. Composition du plasma d'ablation Laser
      
    • I.4.1.3.2. Expansion du plasma d'ablation Laser.
      
    • I.4.1.3.3. Le principe du dépôt.
      
    • I.4.2. Dépôts chimiques en phase vapeur.
      
      • I.4.2.1. Sol-gel :
        
      • I.4.2.2. Principe général du procédé spray.
        
• Chapitre II
  
• Préparation des films ZnO et
  
• techniques de caractérisation
  
  • II.1.Choix d'une technique de dépôt de couches minces
    
  • II.2.Conditions expérimentales de dépôt.
    
  • II.3. Technique de caractérisation.
    
    • II.3.1.Diffraction des rayons X (DRX).
      
    • II.3.2. Microscopie à force atomique (AFM)
      
    • II.3.3. Analyse RBS.
      
    • 2- La perte d'énergie ÄE
      
    • II.3.4. Caractérisation optique.
      
• Chapitre III
  
• Résultats et discussions
  
  • III.1. Analyse par RBS.
    
  • III.2. Analyse par diffraction des rayons X
    
    • III.2.1. Effets du dopage
      
      • III.2.1.1 Substrat de verre
        
      • III.2.1.2. Substrat de silicium Si(100)
        
      • III.2.1.3. Substrat de silicium Si(111)
        
      • III.2.1.4. Substrat de silicium polycristallin (Si-poly).
        
  • III.3. Analyse par AFM
    
    • III.3.1.Effet de dopage
      
    • III.3.2.Effet des substrats
      
  • III.4. Caractérisation optique.
    
• Conclusion Générale
  
• Conclusion Générale
  
• Références bibliographiques
  
  • V. Srikant, D.R. Clarke, J. App. Phys., 83 (1998) 5447
    
  • G. K.Wehner, Phys.Rev, (1971) 690
    
  • B. J. Lokhand, M. D. Uplane, App. Surf. Sci. 167 (2000) 243-246
    
  • F. Urbach, Phys. Rev, 92 (1953) 1324
    
• Abstract
  
• Résumé